Описание:

RIE-600iPC – система травления с использованием индуктивно-связанной плазмы способная генерировать плазму с очень высокой плотностью. Система имеет вакуумную систему откачки с высокой проводимостью и в то же время с точным контролем давления, что позволяет проводить процессы как при низком, так и при высоком давлении в реакторе, больших и маленьких потоках газов. Более того, использование патентованной ВЧ катушки можно поддерживать горение плазмы при закачке больших ВЧ мощностей и при высоком давлении в реакторе. Применяемые совместно эти особенности позволяют пользователю использовать очень широкое процессное окно и подходит для высокоскоростного травления карбида и оксида кремния (SiC и SiO2).

Применение:

• Траншеи, сквозные отверстия, формирование масок SiO2 при производстве мощных SiC устройств.
• Производство оптических компонент (оптические волноводы и микролинзы).
• Производство микроканалов (микроотверстий).
• Производство сенсоров.

Преимущества систем SAMCO:

• Наиболее быстрые в индустрии скорости травления (свыше 50 мкм/мин)
• Высокая селективность, сыше 250:1 (Si к фоторезисту)
• Однородность травления ± 5% или лучше (на подложках до 200 мм в диаметре)
• Высокое аспектное соотношение (лучше чем 40:1)
• Низкая шероховатость стенок, гладкий профиль стенок (неоднородности шероховатости менее чем 0,1 мкм)
• Патентованная технология против подтрава стенок на дне траншей (структур) с применением двух ВЧ мощностей при травлении структур SOI.
• Уникальная особенность «анти-наклон», которая позволяет получать высокую однородность
• Электростатический прижим подложек и охлаждение обратной стороны гелием (для более точного контроля температуры подложек)
• Смена ICP-источника (головы) для травления DRIE или SiO2