Описание

Установка для травления и покрытия подложек большой площади sciaCube 300/750 методом реактивного ионного травления (RIE) и плазменно-химического осаждения из газовой фазы (PECVD)

Установка SciaCube 300/750 предназначена для проведения плазменных процессов высокой плотности на большой площади для подложек размером до 300 мм x 200 мм (sciaCoat 300) и до 750 мм x 750 мм (sciaCoat 750). Основной сферой применения является нанесение алмазоподобного углерода (DLC) на оптические фильтры и диэлектрические пленки для неотражающих покрытий, а также травление с помощью кислорода или галогена для структурирования полупроводников и металлов.

В установке SciaCube 300/750 возбуждение плазмы осуществляется с помощью массива микроволновых источников. Держатель подложки оснащен функцией независимого ВЧ смещения. Подача различных размеров подложек осуществляется с помощью автоматической системы вакуумного загрузочного шлюза.

Свойства:

• Система для плазменных процессов большой площади и высокой плотности
• Независимое возбуждение плазмы и ВЧ смещение
• Ориентация подложек лицевой стороной вверх или вниз
• Процесс очистки камеры на месте с низким уровнем содержания остатков

Области применения

Плазменно-химическое осаждение из газовой фазы (PECVD):

• Выращивание нанокристаллических алмазных и углеродных нанотрубок
• Диэлектрические пленки (SiO₂, Si₃N₄, a:Si, DLC) для оптических фильтров и неотражающих покрытий
• ZnO в качестве прозрачного проводящего оксидного слоя (TCO) для оптоэлектроники

Реактивное ионное травление (RIE):

• Структурирование полупроводников и металлов (например InP, Ni, Cr, Pt, ITO)
• Структурирование кварца/кварцевого стекла (CF₄ / O₂)
• Озолениефоторезиста (O₂)

Технические характеристики